# Công nghệ pin mặt trời TBC (TOPCon tiếp xúc mặt sau): Đầy đủ > Hướng dẫn chi tiết về công nghệ pin mặt trời TBC (TOPCon Back Contact / POLO-IBC), bao gồm cấu trúc, quy trình sản xuất hoàn chỉnh ![Công nghệ pin mặt trời TBC (TOPCon tiếp xúc mặt sau): Đầy đủ](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20260712/b328022a0ca3c179e39311d2ccf4fb5d.webp) - ** 2026-07-12 - ** 438 Lượt xem - ** [Blog](./Blog.html) ## Công nghệ pin mặt trời TBC (TOPCon tiếp xúc mặt sau): Đầy đủ **Câu trả lời nhanh:** TBC, hay TOPCon back contact, là pin tiếp xúc mặt sau sử dụng tiếp xúc thụ động hóa TOPCon ở mặt sau thay vì tiếp xúc dị thể. Nó nằm trong một chuỗi lộ trình rộng hơn, nơi ngành công nghiệp đang chuyển từ bề mặt sau đồng nhất sang kiến trúc mặt sau phân biệt theo vùng, gán một loại tiếp xúc khác nhau cho từng khu vực của mặt sau. Đối với nhà sản xuất, ý nghĩa của TBC nằm ở khả năng tương thích quy trình: vì nó được xây dựng trên các bước quy trình TOPCon mà dây chuyền đã vận hành, đây là biến thể tiếp xúc mặt sau có chi phí áp dụng thấp nhất từ cơ sở TOPCon đã lắp đặt. Công việc đo lường và đặc trưng liên quan — các công cụ đo thời gian sống hạt tải như dòng WCT-120 — trở nên quan trọng hơn với TBC so với pin tiếp xúc mặt trước, vì mẫu mặt sau là nơi chất lượng thụ động hóa thực sự quyết định hiệu suất. Kiểm tra mặt sau cũng trở thành công cụ đảm bảo năng suất thay vì chỉ là kiểm tra chất lượng. Sản xuất mô-đun PV · bởi Jerry, Ooitech ## Tổng quan công nghệ Vị trí của TBC trong toàn bộ trình tự tuyến đường rộng hơn, và lý do tại sao khả năng tương thích quy trình hiện nay quan trọng hơn cấu trúc, được đề cập trong [Lộ trình công nghệ pin BC: từ cấu trúc đến quy trình](https://www.ooitech.com/bc-cell-technology-roadmap-structure-to-process.html). Nội dung dưới đây được chia sẻ chỉ để tham khảo. Nếu có bất kỳ vi phạm kỹ thuật hoặc hướng dẫn không chính xác nào, vui lòng liên hệ với tác giả để gỡ bỏ hoặc chỉnh sửa. ### Pin TBC là gì? TBC là viết tắt của [TOPCon](https://www.ooitech.com/what-is-topcon-solar-cell-a-complete-guide-to-tunnel-oxide-passivated-contact-technology.html) Back Contact. Nó kết hợp lớp thụ động hóa TOPCon (oxit đường hầm cộng với poly-silicon) với cấu trúc tiếp xúc mặt sau xen kẽ IBC, vì vậy mọi người còn gọi nó là pin POLO-IBC. Nó tích hợp sâu lớp thụ động hóa oxit đường hầm / poly-Si của TOPCon với bố cục tiếp xúc mặt sau IBC. Điều đó mang lại cho bạn khả năng thụ động hóa mặt sau mạnh mẽ của TOPCon cùng với ưu điểm không bị che bóng bởi lưới kim loại mặt trước của IBC, với toàn bộ việc thu dòng được chuyển ra mặt sau. Kết quả là điện áp hở mạch cao hơn và dòng ngắn mạch cao hơn. Đây là một trong những hướng đi hiệu suất cao loại N chủ đạo cho thế hệ tiếp theo. ### Ưu điểm cốt lõi - Không có lưới kim loại mặt trước, do đó loại bỏ tổn thất che bóng mặt trước và Isc tăng lên - Thụ động hóa đường hầm TOPCon giảm tái hợp mặt sau và nâng cao Voc - Bố cục tiếp xúc mặt sau P/N xen kẽ tối ưu hóa đường thu gom hạt tải và giảm điện trở nối tiếp - So với TOPCon tiêu chuẩn và IBC tiêu chuẩn, nó cân bằng giữa chất lượng thụ động hóa và tích hợp cấu trúc - Tương thích với hầu hết thiết bị cốt lõi trên các dây chuyền loại N hiện có, do đó quy trình có thể được nâng cấp từng bước ### So sánh với các pin thông thường - TOPCon tiêu chuẩn: che bóng bởi lưới mặt trước, thụ động hóa TOPCon toàn diện tích ở mặt sau - IBC tiêu chuẩn: cấu trúc tiếp xúc mặt sau, nhưng thụ động hóa dựa vào oxit silicon / nitrua silicon, không có thụ động hóa poly-Si đường hầm - TBC (POLO-IBC): cấu trúc tiếp xúc mặt sau IBC cộng với thụ động hóa đường hầm TOPCon tích hợp, do đó cả cấu trúc và thụ động hóa đều được tối ưu hóa ## Tổng quan toàn bộ quy trình công nghệ Đầu vào tấm wafer → tiền làm sạch / loại bỏ hư hại do cắt → oxit đường hầm mặt sau + lắng đọng poly-Si (LPCVD) → lắng đọng mặt nạ SiN mặt sau → mở laser mặt sau lần thứ nhất (vùng boron) → pha tạp boron (p-poly) → mở laser mặt sau lần thứ hai (vùng phosphorus) → pha tạp phosphorus (n-poly) → làm sạch để loại bỏ khuếch tán bao quanh / BSG / PSG → lắng đọng màng thụ động hóa mặt sau → in mặt nạ sáp để bảo vệ mặt sau → tạo nhám mặt trước + ăn mòn cách ly P/N → lắng đọng màng chống phản xạ thụ động hóa SiN mặt trước và mặt sau → in lưới điện cực kim loại mặt sau → nung → kiểm tra điện → phân loại và đóng gói ## Thông số quy trình chi tiết ### 3.1 Làm sạch và đánh bóng (tiền làm sạch + loại bỏ hư hại do cắt) Mục đích: loại bỏ lớp hư hại do cắt, tạp chất kim loại bề mặt, hạt và dầu; đánh bóng tấm wafer một mặt hoặc hai mặt để có nền silicon sạch, phẳng và giữ cho việc lắng đọng lớp đường hầm sau đó được đồng đều. Thiết bị chính: dây chuyền làm sạch và đánh bóng ướt liên tục, bể đánh bóng kiềm, bể làm sạch axit. Hóa chất chính: kiềm mạnh (NaOH/KOH), HF, HCl, IPA, phụ gia tạo nhám, chất hoạt động bề mặt. Các mục giám sát chính: - Tổn thất khối lượng khi đánh bóng: cân điện tử - Độ phản xạ bề mặt: máy đo độ phản xạ - Thời gian sống của hạt tải thiểu số iVoc: máy đo thời gian sống tức thời WCT-120 - Chụp ảnh tái hợp hạt tải: máy kiểm tra PL (R3-PL) - Độ nhám bề mặt và độ sạch: kính hiển vi quang học Kiểm soát chất lượng: hư hại do cắt được loại bỏ hoàn toàn, không có vết bẩn hoặc bậc trên bề mặt, tổn thất khối lượng đồng đều, không có sụt giảm thời gian sống rõ rệt. ### 3.2 Lắng đọng oxit đường hầm + poly-Si Mục đích: nuôi một lớp oxit đường hầm siêu mỏng (SiO₂) sau đó một lớp poly-Si nguyên chất trên mặt sau tấm wafer, tạo thành cấu trúc thụ động hóa TOPCon cốt lõi để thụ động hóa trường mạnh và hóa học cùng tái hợp mặt sau thấp. Thiết bị chính: LPCVD dạng ống. Nguồn khí: SiH₄, O₂, N₂ (khí mang / khí tẩy). Các mục chính: - Độ dày poly-Si: máy đo độ dày poly, máy đo ellipsometer - Độ dày oxit đường hầm: ECV, ellipsometer - iVoc (WCT-120) - Độ đồng đều PL - Điện trở tấm (giám sát poly nguyên chất trước khi pha tạp) Kiểm soát chất lượng: oxit siêu mỏng và đồng đều, poly-Si dày đặc và không có lỗ kim, độ đồng đều độ dày tốt trên toàn tấm wafer. ### 3.3 Lắng đọng mặt nạ SiN mặt sau Mục đích: lắng đọng một lớp nitrua silicon (SiNₓ) dày đặc trên poly-Si nguyên chất làm mặt nạ chặn cho các bước mở laser và pha tạp sau đó, cho phép các vùng pha tạp chọn lọc. Thiết bị chính: PECVD. Nguồn khí: SiH₄, NH₃, N₂. Các mục chính: độ dày SiN (ellipsometer quang phổ), chiết suất và độ đồng đều, iVoc, độ đồng đều PL. Kiểm soát chất lượng: mặt nạ dày đặc, không có lỗ kim, độ dày đồng đều để đảm bảo cách ly pha tạp. ### 3.4 Mở laser mặt sau lần thứ nhất (cửa sổ khuếch tán boron) Mục đích: loại bỏ chọn lọc mặt nạ SiN trên vùng khuếch tán boron bằng cách bóc tách laser cục bộ trong khi giữ lại poly-Si nguyên chất bên dưới, mở cửa sổ cho poly loại p sau đó. Thiết bị chính: hệ thống mở laser sợi quang / nanosecond hoặc picosecond, công cụ tạo mẫu laser độ chính xác cao. Điều chỉnh quy trình: điều chỉnh công suất laser, tần số lặp lại, tốc độ quét và độ chồng chập điểm để chỉ loại bỏ mặt nạ SiN trên cùng và không làm hỏng poly-Si nguyên chất bên dưới, giữ nguyên nền thụ động hóa. Đặc trưng chính: kiểm tra bằng kính hiển vi quang học hình dạng rãnh, tính toàn vẹn cạnh và liệu lớp poly có bị cháy không. ### 3.5 Pha tạp boron mặt sau (p-poly) Mục đích: khuếch tán boron vào poly-Si nguyên chất trong vùng đã mở để chuyển nó thành poly loại p pha tạp mạnh (p-poly), đồng thời tạo BSG trên bề mặt. BSG sau đó hoạt động như một mặt nạ chặn tự nhiên cho khuếch tán phosphorus. Thiết bị chính: lò khuếch tán boron dạng ống. Môi trường xử lý: nguồn lỏng BBr₃; O₂, N₂ môi trường. Đặc trưng chính: điện trở tấm vùng p, độ đồng đều pha tạp, tính toàn vẹn lớp phủ BSG, độ đồng đều pha tạp PL. Kiểm soát chất lượng: pha tạp boron đủ, điện trở tấm đồng đều, BSG liên tục và hoàn chỉnh không có khoảng trống cục bộ. ### 3.6 Mở laser mặt sau lần hai (cửa sổ khuếch tán phosphorus) Mục đích: loại bỏ lớp mặt nạ SiN còn lại để lộ poly-Si nguyên bản chưa pha tạp làm vùng pha tạp phosphorus loại n, đồng thời giữ nguyên lớp BSG đã hình thành khỏi hư hại do laser. Thiết bị chính: hệ thống tạo mẫu / mở bằng laser. Trọng tâm quy trình: kiểm soát năng lượng laser chính xác để tránh đục xuyên qua lớp BSG, giữ ranh giới cách ly sạch giữa vùng P và N. ### 3.7 Pha tạp phosphorus mặt sau (n-poly) Mục đích: khuếch tán phosphorus vào poly-Si nguyên bản ở cửa sổ thứ hai để tạo poly pha tạp nặng loại n (n-poly). BSG được tạo ở bước trước hoạt động như mặt nạ tự căn, ngăn phosphorus khuếch tán vào vùng p-poly và đạt được tự cách ly các vùng P/N. Thiết bị chính: lò khuếch tán phosphorus dạng ống. Môi trường xử lý: nguồn lỏng POCl₃; O₂, N₂ môi trường. Nguyên lý chính: BSG còn lại hoạt động như rào cản khuếch tán tự nhiên và ngăn nhiễm phosphorus vào vùng p-poly. Sau khi khuếch tán phosphorus, BSG một phần chuyển thành oxit hỗn hợp boron-phosphorus, càng tăng cường cách ly. Đặc trưng chính: điện trở tấm vùng n, cách ly ranh giới P/N, theo dõi xu hướng rò rỉ. ### 3.8 Làm sạch để loại bỏ khuếch tán bao quanh (loại bỏ BSG/PSG) Mục đích: loại bỏ hóa học tất cả BSG, PSG và cặn bề mặt, đồng thời tẩy lớp pha tạp bao quanh cạnh và bên hông để tránh rò rỉ cạnh. Thiết bị chính: dây chuyền làm sạch ướt nội tuyến. Hóa chất chính: chủ yếu HF, cùng phụ gia axit và hệ axit đệm. Hỗ trợ quy trình: thổi khí sạch khô, sấy khí nóng. Kiểm soát chất lượng: loại bỏ hoàn toàn thủy tinh oxit, bề mặt sạch không cặn, không còn cặn bao quanh ở cạnh. ### 3.9 Lắng đọng màng bảo vệ thụ động SiN mặt sau Mục đích: lắng đọng màng bảo vệ thụ động SiN trên cấu trúc poly P/N đan xen mặt sau để thụ động hóa và bảo vệ vùng tiếp xúc mặt sau và ngăn tấn công hóa học ở các bước sau. Thiết bị chính: PECVD. Nguồn khí: SiH₄, NH₃, N₂. Đặc trưng: độ dày SiN, chiết suất, độ đồng đều màng. ### 3.10 Phủ mặt nạ sáp mặt sau (mặt nạ bảo vệ) Mục đích: phủ hoàn toàn mặt sau bằng lớp bảo vệ sáp bằng in lụa để che chắn cấu trúc tiếp xúc mặt sau P/N đã hình thành và màng SiN, ngăn bước khắc mặt trước sau này tấn công các lớp chức năng mặt sau. Thiết bị chính: máy in lụa (trạm in sáp). Trọng tâm kiểm soát: in sáp hoàn chỉnh, không bỏ in, không lỗ kim, niêm phong cạnh tốt để mặt sau được bảo vệ suốt quá trình. ### 3.11 Khắc hóa học mặt trước + tẩy sáp và làm sạch Mục đích: 1. Loại bỏ pha tạp dư và lớp hư hại trên mặt trước wafer 2. Tạo nhám mặt trước để tạo bề mặt kim tự tháp và giảm phản xạ mặt trước 3. Đạt cách ly cạnh giữa vùng P và N mặt sau thông qua khắc ngang để giảm rò rỉ cạnh 4. Cuối cùng tẩy mặt nạ sáp mặt sau để lộ cấu trúc tiếp xúc mặt sau hoàn chỉnh Thiết bị chính: dây chuyền khắc ướt và tạo nhám nội tuyến hai mặt. Hóa chất chính: kiềm mạnh (NaOH), HF, phụ gia tạo nhám, chất khắc đệm. Nguồn khí: khí nén sạch, thổi N₂. Kiểm soát chất lượng: tạo nhám mặt trước đồng đều, hình thái kim tự tháp đạt chuẩn, cách ly P/N phù hợp, không đường rò rỉ, tẩy sáp sạch không cặn. ### 3.12 Màng chống phản xạ thụ động SiN mặt trước và mặt sau Mục đích: lắng đọng màng chống phản xạ thụ động SiN trên mặt trước cho cả chống phản xạ và thụ động bề mặt; thêm và tối ưu màng thụ động mặt sau để cải thiện hơn nữa thụ động hóa và độ tin cậy. Thiết bị chính: PECVD. Nguồn khí: SiH₄, NH₃, N₂. Đặc trưng: độ dày màng mặt trước và mặt sau, chiết suất, thời gian sống hạt tải thiểu số, độ phản xạ. ### 3.13 In lụa điện cực mặt sau và nung Mục đích: in điện cực bạc-nhôm trên vùng P mặt sau và điện cực bạc trên vùng poly loại n để tạo điện cực dương và âm tiếp xúc mặt sau đan xen, sau đó dùng nung nhiệt độ cao để tạo tiếp xúc ohmic giữa kim loại và poly-Si pha tạp. Thiết bị chính: máy in lụa tiếp xúc mặt sau chuyên dụng, lò nung nội tuyến. Bước chính: in căn chỉnh mẫu điện cực mặt sau → sấy → nung nhiệt độ cao (tạo tiếp xúc ohmic). ### 3.14 Kiểm tra hậu đoạn và phân loại Nội dung quy trình: kiểm tra EL (khuyết tật, vi nứt, rò rỉ), kiểm tra điện IV (Voc, Isc, FF, Eff), kiểm tra ngoại quan, phân cấp và phân loại, đóng gói và nhập kho. Thiết bị kiểm tra: máy kiểm tra EL, máy kiểm tra IV, trạm kiểm tra ngoại quan. ## Thách thức chính và những điểm cần tập trung Những phần khó của công nghệ TBC là gì, và cần chú ý ở đâu? - Kiểm soát độ đồng đều độ dày của oxit đường hầm siêu mỏng là khó - Hai bước mở laser đòi hỏi độ chính xác căn chỉnh cực cao - Giữ nguyên mặt nạ tự căn BSG là cốt lõi của quy trình - Khắc cách ly đan xen P/N dễ bị rò rỉ cạnh - In điện cực tiếp xúc mặt sau cần độ chính xác căn chỉnh cao hơn pin thông thường - Quản lý suy giảm thời gian sống hạt tải thiểu số trong toàn bộ quy trình là khó ### Các tham số SPC chính cần theo dõi - Độ dày oxit đường hầm và độ dày poly-Si - Hình thái mở laser và độ lệch căn chỉnh cho cả hai bước - Độ đồng đều điện trở tấm của khuếch tán boron và phosphorus - iVoc và thời gian sống hạt tải thiểu số PL được theo dõi trong toàn bộ quy trình - Độ phản xạ mặt trước và hình thái tạo nhám - Vi nứt EL, rò rỉ, và trạng thái cách ly cạnh ## Quan điểm của Ooitech TBC sống còn nhờ vào các chi tiết, và mặt nạ tự căn chỉnh BSG chính là nhân tố thầm lặng ở đây vì nó cho phép các vùng phốt pho và bo tự sắp xếp mà không cần bước mặt nạ thứ ba. Điều chúng tôi theo dõi nhiều nhất trên các dây chuyền module là cách các cell tiếp xúc mặt sau có Voc cao này hoạt động ở các công đoạn hàn nối và ép laminate phía sau, bởi vì lớp kim loại hóa toàn bộ mặt sau của chúng thay đổi cục diện liên kết. Nếu bạn muốn xem các dây chuyền module loại N thực tế đang vận hành, kênh YouTube của chúng tôi [www.youtube.com/ooitech](http://www.youtube.com/ooitech) có những thước phim nhà máy đáng để xem. --- ##### Thẻ : ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h700_fitblur_v2_w800_h700_fitblur_v2_1757399770541443.webp) ### Yêu cầu báo giá Tất cả tải lên đều an toàn và bảo mật. ## Chúng tôi cung cấp chuyên môn bạn có thể tin tưởng dịch vụ của chúng tôi Thiết bị trực tiếp từ nhà máy. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/money-2.svg) ### Lợi thế tiết kiệm chi phí Chúng tôi mang lại giá trị vượt trội, tối đa hóa kết quả trong khi tối ưu hóa ngân sách cho khách hàng. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/staff.svg) ### Đội ngũ giàu kinh nghiệm của chúng tôi Các chuyên gia lành nghề của chúng tôi chuyên về các giải pháp sáng tạo và chiến lược phù hợp. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/certified.svg) ### Hơn 15 năm kinh nghiệm trong ngành Chuyên môn sâu đảm bảo kết quả đáng tin cậy, nắm bắt xu hướng và đã được chứng minh để thành công. ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477357667605.webp ) ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477724911512.webp) ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ## Khách hàng của chúng tôi nói gì về chúng tôi Các đánh giá từ khách hàng ca ngợi sự hiểu biết sâu sắc của chúng tôi về những thách thức của họ, dẫn đến các giải pháp sáng tạo và ROI mạnh mẽ. Các hợp tác lâu dài—một số hơn một thập kỷ—chứng minh sự tin tưởng và hài lòng của họ. Những câu chuyện thành công của họ thúc đẩy chúng tôi không ngừng vượt qua mong đợi. [Tìm hiểu thêm **](#quote-form) ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Cảm ơn Ooitech đã cung cấp thiết bị thí nghiệm pin mặt trời BC rất phù hợp. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1776426122864564.webp) ### KTECH ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Cảm ơn Ooitech đã cung cấp thiết bị sản xuất hoàn toàn tự động—dịch vụ lắp đặt và sau bán hàng của bạn rất xuất sắc. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041720921238.webp) ### Amjad ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Cảm ơn bạn rất nhiều lần nữa vì sự giúp đỡ rất lớn trong việc cải thiện và sửa chữa nhà máy cũng như dạy công nhân cách sử dụng máy móc ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1757479675272137.webp) ### Mark BIPV Philippines ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Một người đàn ông có tâm hồn lớn. Cảm ơn ông Wu rất nhiều vì đã đến thăm. Cảm ơn rất nhiều vì những dịch vụ được cung cấp trong việc lắp đặt thiết bị và đào tạo học viên của tôi. Người tử tế nhất và chuyên nghiệp trong lĩnh vực của mình ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041716444445.webp) ### Viện Bách khoa Jizzakh ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) cảm ơn sự hỗ trợ chuyên nghiệp và dịch vụ sau bán hàng đúng hạn của ooitech. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1784509010217979.webp) ### Diarra từ Châu Phi ## Sản phẩm mới nhất của chúng tôi ![Máy xếp lớp pin mặt trời WS-CL80D: Chu kỳ 48s, ±0.1mm](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774318047382785.webp) - [** Rachael](./automatic-solar-cell-layup-machine-ws-cl80d-high-speed-mbb-half-cell-string-laying-equipment-for-solar-panel-production-line.html) - [** 12336](./automatic-solar-cell-layup-machine-ws-cl80d-high-speed-mbb-half-cell-string-laying-equipment-for-solar-panel-production-line.html) ### Máy xếp lớp pin mặt trời WS-CL80D: Chu kỳ 48s, ±0.1mm Ooitech WS-CL80D Máy xếp lớp pin mặt trời tự động có tính năng vận hành độc lập hai cổng trục hai tay kẹp, trục chính dẫn động bằng động cơ tuyến tính với 0.01mm ![Máy ép BIPV tự động một lớp hai buồng](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774438506273987.webp) - [** Rachael](./single-layer-double-chamber-automatic-bipv-laminator-otcy-2754dd-ooitech-solar-panel-lamination-equipment.html) - [** 63274](./single-layer-double-chamber-automatic-bipv-laminator-otcy-2754dd-ooitech-solar-panel-lamination-equipment.html) ### Máy ép BIPV tự động một lớp hai buồng Ooitech OTCY-2754DD Máy ép laminate BIPV tự động một lớp buồng đôi có hai vùng ép laminate 2700x5400mm, gia nhiệt kép trên và dưới ![Keo và băng dán tấm pin năng lượng mặt trời — Silicone, Butyl, Busbar](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026032711586064.jpg.webp) - [** Rachael](./PV-Module-Sealant-Tape-Solutions-Essential-Components-for-Solar-Panel-Reliability.html) - [** 73088](./PV-Module-Sealant-Tape-Solutions-Essential-Components-for-Solar-Panel-Reliability.html) ### Keo và băng dán tấm pin năng lượng mặt trời — Silicone, Butyl, Busbar Keo và băng dán tấm pin năng lượng mặt trời cho lắp ráp mô-đun: keo silicone khung, băng butyl và băng cách điện busbar, chống tia UV cho 25 năm phơi ngoài trời. ![Máy hàn hộp nối KS-01C: Chu kỳ 16 giây](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774492507915923.webp) - [** Rachael](./junction-box-welding-machine-ks-01c-automatic-solar-panel-junction-box-soldering-equipment-ooitech.html) - [** 92407](./junction-box-welding-machine-ks-01c-automatic-solar-panel-junction-box-soldering-equipment-ooitech.html) ### Máy hàn hộp nối KS-01C: Chu kỳ 16 giây Máy hàn hộp nối Ooitech KS-01C có tính năng hàn thiếc thanh nóng tự động và hàn tần số cao với độ chính xác định vị CCD là ±0.1mm. ![Máy kiểm tra EL chuỗi ngoại tuyến OPT-S110H: ≤2s, 4.6MP](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774350940561245.webp) - [** Rachael](./offline-string-el-tester-opt-s110h-solar-cell-string-electroluminescence-testing-equipment-ooitech.html) - [** 88272](./offline-string-el-tester-opt-s110h-solar-cell-string-electroluminescence-testing-equipment-ooitech.html) ### Máy kiểm tra EL chuỗi ngoại tuyến OPT-S110H: ≤2s, 4.6MP Máy kiểm tra EL chuỗi Offline OPT-S110H từ Ooitech cung cấp khả năng kiểm tra quang phát quang điện tốc độ cao cho chuỗi pin mặt trời lên đến 1250mm. ![Máy cắt laser pin mặt trời không phá hủy](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774252043927784.webp) - [** ooitech](./GYM-HP8000-Non-Destructive-Solar-Cell-Laser-Cutting-Machine-Advanced-TCS-Technology-for-High-Efficiency-Cell-Production.html) - [** 47287](./GYM-HP8000-Non-Destructive-Solar-Cell-Laser-Cutting-Machine-Advanced-TCS-Technology-for-High-Efficiency-Cell-Production.html) ### Máy cắt laser pin mặt trời không phá hủy Máy cắt laser pin mặt trời không phá hủy chuyên nghiệp GYM-HP8000 với công nghệ TCS, đạt công suất 7600pcs/h, tỷ lệ vỡ 0.03%