# Tại sao pin BC khó sản xuất: Giải thích quy trình hai bước tự che phủ của AIKO

> Vấn đề khó nhất của BC nằm ở mặt sau: tiếp xúc thụ động hóa P và N đòi hỏi các điều kiện xử lý khác nhau. Cách quy trình hai bước tự che mặt nạ của AIKO tách chúng ra, và điều đó thay đổi gì cho dây chuyền module.

![Tại sao pin BC khó sản xuất: Giải thích quy trình hai bước tự che phủ của AIKO](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20260927/ooitech-bc-cell-aiko-two-step-process-cover.webp)

- ** 2026-09-27
- ** 4 Lượt xem
- ** [Blog](./Blog.html)

## Tại sao pin BC khó sản xuất: Giải thích quy trình hai bước tự che phủ của AIKO

**Phần khó của pin mặt trời tiếp xúc mặt sau (BC) không nằm ở mặt trước. Mà là ở mặt sau, nơi hai tiếp xúc thụ động hóa pha tạp trái dấu phải xen kẽ trên cùng một tấm wafer, và nơi các điều kiện xử lý phù hợp với một trong hai lại có xu hướng làm hỏng cái kia.** Câu trả lời của AIKO — thứ mà công ty gọi là quy trình hai bước tự che mặt nạ, và thứ mà truyền thông ngành Trung Quốc gọi là SeparaTech — là ngừng cố gắng tạo cả hai tiếp xúc trong một lần, và để cho các màng khuếch tán vốn hình thành tự nhiên đóng vai trò mặt nạ. Đây là một lập luận về sản xuất, không phải về vật liệu, và đó chính xác là lý do nó đáng đọc từ góc nhìn module.

## Khó khăn nằm ở mặt sau

BC đưa cả hai cực về mặt sau, nên không có gì che bóng mặt trước và không có tiếp xúc kim loại–silicon mặt trước để tái hợp tại đó. Đó là toàn bộ mục đích của kiến trúc này, và cũng là nguồn gốc của vấn đề: mặt sau giờ phải mang một mẫu xen kẽ của tiếp xúc loại P, vùng cách ly, tiếp xúc loại N, lặp lại khắp tấm wafer.

Trên một pin BC tiếp xúc thụ động hóa, mỗi vùng đó có thể chứa một lớp oxide đường hầm siêu mỏng, một lớp polysilicon pha tạp, và một tiếp xúc kim loại cục bộ. Hai cực không muốn những điều giống nhau:

- **Độ dày oxide.** Cửa sổ cho phép đường hầm tốt và thụ động hóa tốt không giống nhau giữa phía pha tạp boron và phía pha tạp phosphorus.
- **Độ dày và pha tạp của polysilicon.** Poly-Si N+ và P+ có profile tạp chất tối ưu khác nhau và độ nhạy khác nhau với ngân sách nhiệt.
- **Độ sâu khuếch tán và ủ.** Quá trình ủ làm kết tinh và kích hoạt một vùng có thể làm xáo trộn trạng thái giao diện của vùng kia.
- **Khuyết tật giao diện và tiếp xúc kim loại.** Điện trở suất tiếp xúc và tái hợp hành xử khác nhau ở hai phía.

Điều đó tạo ra mâu thuẫn trung tâm của sản xuất BC. Linh kiện muốn mỗi vùng ở điểm tối ưu riêng của nó. Một quy trình thông thường muốn một bộ điều kiện xử lý phục vụ cả hai, để giữ số bước mặt nạ, tạo mẫu, ăn mòn, làm sạch và bóc tách ở mức thấp.

## Một bước so với hai bước

AIKO mô tả cách tiếp cận thông thường là quy trình một bước: tạo lớp oxide đường hầm và lớp polysilicon cho cả hai cực cùng lúc, rồi tạo mẫu. Lập luận chống lại nó rất rõ ràng — một công thức đúng cho poly-Si N+ không nhất thiết đúng cho poly-Si P+, và việc điều chỉnh độ dày oxide, pha tạp hay ngân sách nhiệt để cứu phía P có thể khiến bạn mất phía N. Kết quả cuối cùng là một sự thỏa hiệp giữa hai bên.

| Phương pháp tiếp cận | Cách xử lý vùng P và N | Hệ quả |
| --- | --- | --- |
| Một bước thông thường | Tạo oxide, lắng đọng và các bước nhiệt phần lớn dùng chung cho hai cực | Ít bước hơn, nhưng là một sự thỏa hiệp quy trình xuyên ranh giới P/N |
| Hai bước của AIKO (SeparaTech) | Tiếp xúc thụ động hóa loại P được tạo trước; sau đó các vùng được xác định và tiếp xúc thụ động hóa loại N được tạo sau | Nhiều tổ chức quy trình hơn, nhưng mỗi vùng có cửa sổ tối ưu riêng |

Mô tả của chính AIKO về kết quả là việc tách rời hai bên cho phép mỗi phía được tối ưu độc lập, điều này nâng cao chất lượng thụ động hóa và do đó là hiệu suất; công ty tuyên bố rằng quy trình này đã đặt nền móng cho các pin ABC trên 27% trong sản xuất hàng loạt. Đó là tuyên bố của công ty, được đưa ra trong tài liệu do chính AIKO công bố chứ không phải bởi một phòng thử nghiệm độc lập, và cần được đọc đúng như vậy.

## Quy trình theo trình tự

Dựa trên mô tả quy trình đang lưu hành trong truyền thông ngành Trung Quốc, vốn trích dẫn văn bản bằng sáng chế và tài liệu công khai của AIKO, quy trình diễn ra đại khái như sau:

1. Tạo **tiếp xúc thụ động hóa loại P** trước — oxide đường hầm, polysilicon pha tạp boron, vùng P+ — với thủy tinh silicate boron (BSG) hình thành trên bề mặt như một sản phẩm phụ của quá trình khuếch tán boron.
2. Dùng **bước tạo mẫu bằng laser đầu tiên** để mở các vị trí sẽ trở thành vùng N và vùng cách ly.
3. **Ăn mòn chọn lọc hoặc đánh bóng kiềm** cấu trúc loại P bị lộ ra ở những chỗ mở đó.
4. Tạo **một lớp oxide đường hầm mới và polysilicon loại N**, pha tạp phosphorus, với thủy tinh silicate phosphorus (PSG) hình thành trên bề mặt.
5. Dùng **bước laser thứ hai và loại bỏ cục bộ** để xác định các vùng P, N và cách ly cuối cùng.

Điểm quan trọng là đây không phải là một vật liệu mới. Đó là cùng một bộ lớp, được sắp xếp lại theo thời gian và không gian rồi được tái tích hợp bằng cách tạo mẫu. Tuyên bố nằm ở trình tự và kiểm soát, không phải ở hóa học.

## Các màng khuếch tán chính là mặt nạ

Đây là phần mang phần lớn lập luận về chi phí. BSG và PSG không phải là những lớp kỳ lạ — chúng hình thành tự nhiên trong quá trình khuếch tán boron và phosphorus. Trong một quy trình thông thường, chúng bị coi là cặn cần loại bỏ. Lộ trình hai bước giữ chúng lại và dùng chúng làm mặt nạ tự căn chỉnh cho việc tạo mẫu và ăn mòn chọn lọc tiếp theo.

Lợi ích được AIKO nêu ra là điều này loại bỏ nhu cầu che mặt nạ và làm sạch bên ngoài, giảm nguy cơ nhiễm bẩn và tiêu thụ vật liệu, và giữ độ phức tạp tổng thể của quy trình tương đương với quy trình một bước. Công ty cũng mô tả việc tái tạo môi trường nhiệt độ cao thông qua mô phỏng trường nhiệt để cân bằng dòng chảy tầng với động học thụ động hóa, với kiểm soát nhiệt độ giữ trong khoảng cộng trừ 0,5 °C bên trong buồng phản ứng, cùng một hệ thống cân bằng ứng suất để giữ các màng có ứng suất thấp và đồng đều.

Lưu ý trung thực là việc dùng một màng khuếch tán làm mặt nạ không phải là ý tưởng mới — tài liệu bằng sáng chế IBC thời kỳ đầu đã có tư duy tương tự. Điều được tuyên bố ở đây là sự kết hợp cụ thể của các màng, trình tự quy trình, các thông số laser, và khả năng duy trì tất cả điều đó trên một dây chuyền sản xuất.

## Tạo mẫu bằng laser: kiểm soát ở mức micron, và những ràng buộc của chính nó

Sau khi vùng P và N được hình thành trong các bước riêng biệt, cần có một yếu tố xác định vị trí của từng vùng. Đó là bước tạo mẫu bằng laser, và dung sai của nó được quyết định bởi hình học chứ không phải bởi quang học:

- **Khoảng cách quá rộng** — bạn mất diện tích phát điện hiệu dụng.
- **Khoảng cách quá hẹp** — bất kỳ sai lệch hoặc khuếch tán ngang nào cũng trở thành nguy cơ đoản mạch, và vùng cách ly có ít không gian hơn để thực hiện chức năng của nó.

Kích thước vùng, chất lượng cạnh và chiều rộng cách ly đều cùng lúc ảnh hưởng đến điện trở nối tiếp, tái hợp, rò rỉ và tỷ lệ sản lượng. Kỹ thuật quang khắc có thể giữ được dung sai, nhưng chi phí, nhịp độ sản xuất và yêu cầu phòng sạch của nó không phù hợp với dây chuyền quang điện 10 GW hay 20 GW. Laser mang lại khả năng quét tốc độ cao, điều khiển kỹ thuật số và không cần chất cản quang, đồng thời cũng mang theo những vấn đề riêng: hư hỏng nhiệt, bóc mòn cạnh, cặn màng và độ đồng đều trên diện tích lớn.

Báo cáo bán niên năm 2026 của AIKO được cho là liệt kê tạo mẫu bằng laser siêu nhanh cùng với quy trình hai bước như một quy trình ABC cốt lõi, đây là dấu hiệu hợp lý cho thấy nỗ lực kỹ thuật đang tập trung ở đâu.

## Những gì quy trình hai bước không khắc phục được

Ngay cả khi các vùng được hình thành trong các bước riêng biệt, chúng vẫn nằm trên cùng một tấm wafer. Bước nhiệt độ cao thứ hai có thể ảnh hưởng đến những gì bước thứ nhất đã tạo ra:

- Trạng thái kết tinh và phân bố tạp chất của lớp polysilicon thứ nhất
- Lớp oxide đường hầm đã được hình thành
- Thụ động hóa hydro tại giao diện
- Nhiễm chéo giữa hệ boron và hệ phospho
- Tái hợp tại vùng cách ly, căn chỉnh mẫu và khuếch tán ngang dưới ngân sách nhiệt thứ hai

Vì vậy, mô tả chính xác không phải là hai vùng trở nên độc lập. Mà là thứ tự quy trình được thiết kế lại để tách rời chúng càng nhiều càng tốt, mở rộng cửa sổ tối ưu hóa độc lập của từng vùng. Sự khác biệt đó rất quan trọng khi bạn đọc một tuyên bố về các tiếp xúc được “tối ưu hóa độc lập”.

## Con số thực sự quyết định

Cách diễn đạt khiến bài viết này hữu ích vượt ra ngoài một công ty là khía cạnh kinh tế. Việc công nghiệp hóa BC không chỉ được quyết định bởi hiệu suất pin. Con số quan trọng là:

**mức tăng hiệu suất × tỷ lệ sản lượng ÷ chi phí sản xuất**

Mỗi bước tạo mẫu, ăn mòn, làm sạch hoặc căn chỉnh thêm đều tác động đến cả ba số hạng. Nó làm tăng chi phí đầu tư và vận hành, tiêu tốn nhịp độ sản xuất và tạo thêm cơ hội gây vỡ. Đó là lý do quan sát từ phía quy trình đáng được nhắc lại: ở quy mô gigawatt, loại bỏ một mặt nạ hoặc một bước làm sạch có thể có giá trị hơn 0,05% hiệu suất phòng thí nghiệm. Yêu cầu không phải là một pin kỷ lục — mà là hàng trăm nghìn tấm wafer mỗi ngày với mẫu P/N vẫn được căn chỉnh.

## Những gì đến được dây chuyền module

Đây là điểm mà nó tác động đến chúng ta, và là điểm thường bị bỏ qua khi BC chỉ được thảo luận như một công nghệ pin.

BC là một **kiến trúc linh kiện**, không phải một lộ trình quy trình duy nhất. HPBC, ABC, BC tiếp xúc thụ động loại N và GPC đều trông giống nhau từ mặt trước — không có điện cực mặt trước, hạt tải được thu ở mặt sau — nhưng bên dưới chúng có thể khác nhau về tiếp xúc chọn lọc hạt tải, cách hình thành vùng P và N, cách tạo mẫu chúng, cấu trúc cách ly, kim loại hóa và liệu quy trình có thể tái sử dụng dây chuyền TOPCon hiện có hay không. Chúng tôi đã đề cập khía cạnh đặt tên của vấn đề này trong [BC có phải chỉ là một công nghệ?](/is-bc-just-one-technology-unpacking-the-xbc-solar-cell-family.html) và khía cạnh cấu trúc trong [lộ trình công nghệ BC](/bc-cell-technology-roadmap-structure-to-process.html).

Đối với một dây chuyền module, hệ quả rất cụ thể:

- **Những pin trông giống hệt nhau ở mặt trước không giống nhau về cách xử lý.** Bố cục và bước tiếp xúc mặt sau khác nhau giữa các biến thể BC, và điều đó quyết định quy trình hàn, dung sai đặt vị trí và công thức kiểm tra.
- **Thay đổi quy trình đang diễn ra ở thượng nguồn dây chuyền module nhưng hệ quả cơ học lại tác động lên chính nó.** Mẫu mặt sau chặt chẽ hơn nghĩa là cửa sổ đặt vị trí chặt chẽ hơn; pin mỏng hơn hoặc chịu ứng suất cao hơn nghĩa là tổn thất xử lý nhiều hơn giữa máy cắt và máy ép laminate. Độ vồng và cong vênh của BC đã là vấn đề được biết đến ở phía module, và chúng tôi đã viết về [tại sao pin BC vồng nhiều hơn](/why-bc-solar-cells-are-more-prone-to-bowing-and-warpage.html) và [tại sao chuỗi BC bị cong vênh](/why-do-bc-solar-cell-strings-warp-like-a-boat.html).
- **Lộ trình kim loại hóa hậu kỳ thay đổi hoàn toàn cách kết nối.** Vấn đề chi phí chuyển sang điện cực mặt sau, đó là lý do các thiết kế kim loại hóa ít bạc và dựa trên đồng cùng thiết kế không thanh cái đang được thúc đẩy đồng thời với quy trình tiền kỳ. Cuộc [tranh luận về không dùng bạc](/the-silver-free-debate-returns-less-silver-copper-paste-or-copper-plating-which-route-is-more-reliable.html) và nhu cầu về [keo cách điện ở mặt sau](/why-do-bc-solar-cells-need-insulating-glue-on-the-back.html) đều đến ở máy xâu chuỗi, không phải ở lò nung.
- **Quy tắc kinh tế tương tự cũng áp dụng ở hạ nguồn.** Một dây chuyền module mua máy xâu chuỗi sẵn sàng cho BC cũng đang thực hiện phép tính giống như nhà sản xuất pin: mức tăng năng lực × tỷ lệ sản lượng ÷ chi phí. Một cỗ máy thêm quy trình nhưng làm mất tỷ lệ sản lượng thì không giúp ích gì.

Điều mà đổi mới quy trình phía pin thay đổi đối với chúng ta không phải là một loại máy mới. Mà là thông số kỹ thuật của các trạm hiện có — [nền tảng cắt laser tiếp xúc mặt sau SC-20P](/SC-20P-Automatic-Solar-Cell-Laser-Cutting-Machine-High-Precision-BC-Cell-Processing-Equipment.html), [máy nối chuỗi pin back-contact OSLB-1300](/oslb-1300-back-contact-cell-welding-machine-bc-solar-cell-stringer-for-ibc-abc-hpbc-panel-production.html) và [máy hàn tiếp xúc mặt sau SL-1000](/sunpower-back-contact-cell-welding-machine-sl-1000-ibc-back-contact-solar-cell-stringer.html) — vì đó là những trạm tiếp xúc với mẫu mặt sau đầu tiên.

## Mốc thời gian và các con số đã công bố

| Cột mốc | Tài liệu tham khảo |
| --- | --- |
| Phát minh pin tiếp xúc mặt sau hoàn toàn loại N (ABC) | Dòng thời gian công nghệ AIKO, 2019 |
| Hiệu suất pin ABC đạt 26,5% | Bài trình bày của AIKO tại Hội thảo Tiếp xúc mặt sau 2023 |
| Dây chuyền pin ABC giai đoạn một 6,5 GW tại Chu Hải đi vào sản xuất | Được đưa tin trên các phương tiện truyền thông ngành Trung Quốc, 2022 |
| Quy trình hai bước tự che phủ được mô tả công khai là đã thương mại hóa | Tài liệu công bố của AIKO và cập nhật ngành của PV Tech, tháng 7 năm 2025 |
| Pin ABC trên 27% được nêu là nền tảng sản xuất hàng loạt | Tài liệu công bố của AIKO, tháng 7 năm 2025 (tuyên bố của công ty) |
| 2282 đơn xin cấp bằng sáng chế liên quan đến ABC, 820 được cấp, 234 bằng sáng chế phát minh được cấp | Báo cáo nửa năm 2026 của AIKO, được trích dẫn trong các bài đưa tin của ngành công nghiệp Trung Quốc |
| Mô-đun G4 full-screen Ultra được công bố đạt hiệu suất tối đa 26%, lên tới khoảng 690 W ở định dạng tiêu chuẩn | Thông báo sản phẩm AIKO 2026 (thông số ra mắt) |

Một lưu ý mà nguồn đưa tin nêu rõ và đáng để ghi nhớ: con số công bố khi ra mắt sản phẩm và bảng xếp hạng thương mại của bên thứ ba không phải là cùng một phép đo. Tính đến tháng 9 năm 2026, các bảng xếp hạng mô-đun thương mại của bên thứ ba xếp các sản phẩm được niêm yết của AIKO ở hiệu suất tối đa 25,0%, đồng hạng nhất với LONGi. Thông số ra mắt 26% và niêm yết thương mại 25,0% mô tả các giai đoạn khác nhau của cùng một sản phẩm, và việc so sánh chúng như thể chúng là cùng một con số là một sai lầm.

## Câu hỏi thường gặp

### Quy trình hai bước là một vật liệu mới hay một quy trình mới?

Một quy trình mới. Các lớp vẫn thuộc cùng các nhóm — oxit đường hầm, polysilicon pha tạp, tiếp xúc kim loại. Điều thay đổi là thứ tự hình thành mặt P và mặt N cũng như cách xác định các vùng sau đó.

### Tại sao không thể tối ưu hai vùng chỉ trong một lần xử lý?

Bởi vì một số tham số then chốt được chia sẻ chung. Độ dày oxit, điều kiện lắng đọng và ngân sách nhiệt đều quyết định chất lượng của cả hai tiếp xúc cùng một lúc, và giá trị tối ưu cho poly-Si pha tạp boron không phải là giá trị tối ưu cho poly-Si pha tạp phosphorus. Một lần xử lý đồng nghĩa với việc phải thỏa hiệp ở đâu đó trên tấm wafer.

### Tự che mặt nạ (self-masked) nghĩa là gì?

Các bước khuếch tán boron và phosphorus để lại BSG và PSG trên bề mặt như một sản phẩm phụ tự nhiên. Thay vì loại bỏ chúng, quy trình giữ lại và dùng chúng làm mặt nạ cho bước tạo mẫu và ăn mòn chọn lọc tiếp theo, qua đó loại bỏ một số bước mặt nạ, phủ, phơi sáng, bóc tách và làm sạch bên ngoài.

### Điều này có giải quyết hoàn toàn chi phí BC không?

Không. Nó giải quyết phần sản xuất linh kiện ở giai đoạn đầu. Chi phí điện cực mặt sau là một vấn đề riêng, đó là lý do các giải pháp kim loại hóa dùng ít bạc và dựa trên đồng cũng như kết nối không thanh cái đang được phát triển song song. Một pin rất hiệu quả nhưng vẫn cần một lượng lớn bạc dán để kết nối thì chưa phải là một giải pháp hoàn chỉnh về mặt kinh tế.

### Một quy trình pin tốt hơn có làm dây chuyền mô-đun dễ dàng hơn không?

Không tự động như vậy. Nó có thể khiến việc đó khó hơn. Một mẫu mặt sau chặt chẽ hơn làm tăng yêu cầu về định vị, và bất kỳ thay đổi nào về ứng suất hoặc độ dày của pin đều thể hiện thành tổn thất xử lý và vỡ trên dây chuyền lắp ráp. Lợi ích phía pin và chi phí phía mô-đun phải được xem xét cùng nhau.

### Thông tin trong bài viết này đến từ đâu?

Ba nguồn, và chúng có trọng số khác nhau. Mô tả quy trình, tên SeparaTech, số lượng bằng sáng chế và cách diễn đạt hiệu suất nhân với sản lượng đến từ bài viết ngành công nghiệp Trung Quốc do [新能供应链](https://mp.weixin.qq.com/s/1AJFP1RHhtHUFFHWKag0UA)công bố, bài này trích dẫn nội dung bằng sáng chế của AIKO, báo cáo nửa năm 2026 và các tài liệu công khai của công ty. Mô tả quy trình bằng tiếng Anh và các tuyên bố về hiệu suất trên 27% đến từ [tài liệu do chính AIKO công bố](https://aikosolar.com/en/the-worlds-most-efficient-solar-technology/), được đăng lại như một bản cập nhật ngành bởi [PV Tech](https://www.pv-tech.org/industry-updates/aiko-cracks-bc-code-with-two-step-innovation/) — đó là nội dung do công ty soạn thảo và chúng tôi đã ghi nhãn nó là một tuyên bố chứ không phải một kết quả độc lập. Các số liệu về hiệu suất và tiến độ ABC đến từ bài trình bày của AIKO tại Hội thảo Back Contact năm 2023. Không có nội dung nào trong bài viết này dựa trên phép đo của chính chúng tôi về một pin BC hoặc về quy trình của AIKO.

---

##### Thẻ :

![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png)

![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h700_fitblur_v2_w800_h700_fitblur_v2_1757399770541443.webp)

### Yêu cầu báo giá

Tất cả tải lên đều an toàn và bảo mật.

## Chúng tôi cung cấp chuyên môn bạn có thể tin tưởng dịch vụ của chúng tôi

Thiết bị trực tiếp từ nhà máy.

![](/template/ooitech/assets/img/icon/money-2.svg)

### Lợi thế tiết kiệm chi phí

Chúng tôi mang lại giá trị vượt trội, tối đa hóa kết quả trong khi tối ưu hóa ngân sách cho khách hàng.

![](/template/ooitech/assets/img/icon/staff.svg)

### Đội ngũ giàu kinh nghiệm của chúng tôi

Các chuyên gia lành nghề của chúng tôi chuyên về các giải pháp sáng tạo và chiến lược phù hợp.

![](/template/ooitech/assets/img/icon/certified.svg)

### Hơn 15 năm kinh nghiệm trong ngành

Chuyên môn sâu đảm bảo kết quả đáng tin cậy, nắm bắt xu hướng và đã được chứng minh để thành công.

![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477357667605.webp )

![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477724911512.webp)

![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png)

## Khách hàng của chúng tôi nói gì về chúng tôi

Các đánh giá từ khách hàng ca ngợi sự hiểu biết sâu sắc của chúng tôi về những thách thức của họ, dẫn đến các giải pháp sáng tạo và ROI mạnh mẽ. Các hợp tác lâu dài—một số hơn một thập kỷ—chứng minh sự tin tưởng và hài lòng của họ. Những câu chuyện thành công của họ thúc đẩy chúng tôi không ngừng vượt qua mong đợi. [Tìm hiểu thêm **](#quote-form)

![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg)

Một người đàn ông có tâm hồn lớn. Cảm ơn ông Wu rất nhiều vì đã đến thăm. Cảm ơn rất nhiều vì những dịch vụ được cung cấp trong việc lắp đặt thiết bị và đào tạo học viên của tôi. Người tử tế nhất và chuyên nghiệp trong lĩnh vực của mình

![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041716444445.webp)

### Viện Bách khoa Jizzakh

![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg)

Cảm ơn Ooitech đã cung cấp thiết bị sản xuất hoàn toàn tự động—dịch vụ lắp đặt và sau bán hàng của bạn rất xuất sắc.

![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041720921238.webp)

### Amjad

![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg)

cảm ơn sự hỗ trợ chuyên nghiệp và dịch vụ sau bán hàng đúng hạn của ooitech.

![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1784509010217979.webp)

### Diarra từ Châu Phi

![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg)

Cảm ơn bạn rất nhiều lần nữa vì sự giúp đỡ rất lớn trong việc cải thiện và sửa chữa nhà máy cũng như dạy công nhân cách sử dụng máy móc

![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1757479675272137.webp)

### Mark

BIPV Philippines

![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg)

Cảm ơn Ooitech đã cung cấp thiết bị thí nghiệm pin mặt trời BC rất phù hợp.

![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1776426122864564.webp)

### KTECH

## Sản phẩm mới nhất của chúng tôi

![Hộp nối và hộp diode năng lượng mặt trời — Đạt chuẩn IP67/IP68](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026032739568544.jpg.webp)

- [** Rachael](./Solar-Junction-Box-J-Box-Advanced-PV-Module-Protection-Power-Management-System.html)
- [** 15050](./Solar-Junction-Box-J-Box-Advanced-PV-Module-Protection-Power-Management-System.html)

### Hộp nối và hộp diode năng lượng mặt trời — Đạt chuẩn IP67/IP68

Hộp nối và hộp diode năng lượng mặt trời với diode bypass đạt chuẩn IP67/IP68: bảo vệ điểm nóng, đầu nối MC4 và giám sát tùy chọn cho dòng điện mô-đun của bạn.

![Máy mô phỏng mặt trời OTMT-A: Loại A, độ bất ổn định ≤±1%](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774513832212306.jpg)

- [** ooitech](./solar-panel-tester-sun-simulator-otmt-a-aaa-class-solar-module-iv-tester-ooitech.html)
- [** 600](./solar-panel-tester-sun-simulator-otmt-a-aaa-class-solar-module-iv-tester-ooitech.html)

### Máy mô phỏng mặt trời OTMT-A: Loại A, độ bất ổn định ≤±1%

Máy kiểm tra tấm pin mặt trời mô phỏng mặt trời Ooitech OTMT-A là hệ thống kiểm tra IV mô-đun năng lượng mặt trời cấp AAA với công nghệ đèn xenon, tuân thủ IEC 60904-9

![AM050FH MBB Tabber Stringer: 6800 dải/h, ±0.05mm](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774262936967131.webp)

- [** ooitech](./am050fh-mbb-pv-cell-soldering-stringer-fully-automatic-solar-cell-tabber-stringer-machine-ooitech.html)
- [** 56771](./am050fh-mbb-pv-cell-soldering-stringer-fully-automatic-solar-cell-tabber-stringer-machine-ooitech.html)

### AM050FH MBB Tabber Stringer: 6800 dải/h, ±0.05mm

Máy hàn nối pin mặt trời tự động: AM050FH hàn các pin multi-busbar với cắt laser nửa và cắt 1/3 trên một nền tảng, dành cho dây chuyền MBB và nửa tấm.

![Máy kiểm tra EL & VI OPT-M960B: 0.1mm/pixel, Intel i7](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774351816741704.webp)

- [** Rachael](./solar-panel-el-tester-and-vi-tester-machine-opt-m960b-m951b-m950b-ooitech-solar-module-el-testing-equipment.html)
- [** 43539](./solar-panel-el-tester-and-vi-tester-machine-opt-m960b-m951b-m950b-ooitech-solar-module-el-testing-equipment.html)

### Máy kiểm tra EL & VI OPT-M960B: 0.1mm/pixel, Intel i7

Ooitech cung cấp máy kiểm tra EL và VI tấm pin mặt trời chuyên nghiệp (OPT-M960B, OPT-M951B, OPT-M950B) với camera công nghiệp SONY

![Máy cắt laser pin mặt trời không phá hủy](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774252043927784.webp)

- [** ooitech](./GYM-HP8000-Non-Destructive-Solar-Cell-Laser-Cutting-Machine-Advanced-TCS-Technology-for-High-Efficiency-Cell-Production.html)
- [** 47198](./GYM-HP8000-Non-Destructive-Solar-Cell-Laser-Cutting-Machine-Advanced-TCS-Technology-for-High-Efficiency-Cell-Production.html)

### Máy cắt laser pin mặt trời không phá hủy

Máy cắt laser pin mặt trời không phá hủy chuyên nghiệp GYM-HP8000 với công nghệ TCS, đạt công suất 7600pcs/h, tỷ lệ vỡ 0.03%

![Máy kéo dây cho dây chuyền sản xuất dải ribbon năng lượng mặt trời](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026051187922761.webp)

- [** ooitech](./wire-drawing-machine-for-solar-ribbon-production-line.html)
- [** 495](./wire-drawing-machine-for-solar-ribbon-production-line.html)

### Máy kéo dây cho dây chuyền sản xuất dải ribbon năng lượng mặt trời

Máy kéo dây trung gian chuyên nghiệp cho dây chuyền sản xuất dải ribbon mặt trời, với thiết kế ngang bốn trục