Kỷ lục thế giới 28,29% của LONGi HIBC: LIC, iPET và những thay đổi đối với dây chuyền sản xuất module

Ngày 24 tháng 9 năm 2026, LONGi công bố pin mặt trời silicon tiếp xúc mặt sau xen kẽ lai (HIBC) đo được hiệu suất chuyển đổi 28,29%, được Viện Nghiên cứu Năng lượng Mặt trời Hamelin (ISFH) tại Đức xác nhận độc lập. Đây là kỷ lục thế giới mới cho pin silicon tinh thể đơn lớp, và là lần thứ ba LONGi nâng con số đó trong năm 2026 — sau 28,04% và 28,13% hồi đầu năm. Đối với bất kỳ ai đang xây dựng hoặc lên kế hoạch cho một dây chuyền lắp ráp module, phần thú vị không phải là con số. Mà là hai bước quy trình mà LONGi phải phát minh để đạt được điều đó, bởi vì những bước này sẽ quyết định liệu pin HIBC có thể sản xuất ở quy mô lớn hay không — và một dây chuyền module có khả năng xử lý BC sẽ cần đáp ứng những gì khi chúng xuất hiện.

Những Gì Thực Sự Được Công Bố

Con số hiệu suất và xác nhận của ISFH đã được đưa tin độc lập bởi pv magazine và PV Tech. Chi tiết quy trình dưới đây dựa trên báo cáo ngành công nghiệp Trung Quốc từ 新能供应链 và được ghi nguồn cho báo cáo đó thay vì phép đo của chính chúng tôi.

HIBC trong Một Đoạn Văn

Pin tiếp xúc mặt sau di chuyển cả điện cực dương và âm ra mặt sau, nên không có gì che khuất bề mặt trước. TBC áp dụng tiếp xúc thụ động hóa TOPCon (polysilicon nhiệt độ cao) trên toàn bộ mẫu mặt sau đó; HBC áp dụng tiếp xúc dị thể (silicon vô định hình nhiệt độ thấp) thay thế. HIBC không làm cả hai. Nó chia mặt sau thành các vùng thu N và P xen kẽ và cho mỗi vùng hệ thống thụ động hóa mà nó làm tốt nhất: tiếp xúc polysilicon nhiệt độ cao trên vùng N thu electron, thụ động hóa silicon vô định hình nhiệt độ thấp trên vùng P thu lỗ trống. Chúng tôi đã đề cập đến toàn bộ họ từ viết tắt và vị trí của từng kiến trúc trong trình tự quy trình trong lộ trình công nghệ pin BC; bài viết này tập trung vào những gì mới trong kết quả 28,29%.

Hai Đổi Mới Thực Sự Mới

Ý tưởng lai đã được thảo luận từ lâu. Điều LONGi dường như đã giải quyết là hai vấn đề kỹ thuật đã khiến nó không hoạt động.

1. LIC — kết tinh cục bộ cảm ứng laser

Silicon vô định hình thụ động hóa rất tốt nhưng dẫn điện kém theo hướng thẳng đứng, vì nó là một màng mỏng không trật tự và các hạt tải phải vượt qua nó để đến kim loại. Cách khắc phục tiêu chuẩn là một lớp oxit dẫn điện trong suốt, làm tăng chi phí, tăng hấp thụ và tạo ra đường rò rỉ ngang của riêng nó.

Câu trả lời của HIBC là chọn lọc: kết tinh silicon chỉ ở nơi thực sự tạo tiếp xúc. Xử lý laser dưới micron chuyển đổi các đỉnh kim tự tháp tại các điểm tiếp xúc thành silicon nanocrystalline, làm giảm mạnh điện trở tiếp xúc thẳng đứng, trong khi phần còn lại của tấm wafer giữ nguyên màng silicon vô định hình ban đầu và do đó giữ được khả năng thụ động hóa. Điều quan trọng là, vì chỉ các điểm riêng lẻ được kết tinh, đường rò rỉ ngang sẽ phát sinh từ việc kết tinh toàn bộ màng không bao giờ hình thành.

Đây là một bước quy trình laser với kiểm soát không gian chặt chẽ. Đây là loại trạm phải được chỉ định với cửa sổ quy trình riêng, dung sai căn chỉnh riêng và kiểm soát năng suất riêng — không thể gắn thêm vào một công cụ hiện có như một tùy chọn.

2. iPET — thụ động hóa cạnh tại chỗ

Một pin hoàn thiện được cắt theo kích thước. Cạnh cắt là một bức tường các liên kết treo và điểm nóng tái hợp, và trong pin tiếp xúc mặt sau, cạnh nằm gần cả hai vùng cực. HIBC tạo một lớp thụ động hóa tại cạnh tại chỗ trong dòng quy trình thay vì như một bước sửa chữa riêng biệt sau đó. Mức tăng được báo cáo là khoảng 1,7–3 mV điện áp mạch hở, cộng với độ toàn vẹn cạnh cơ học tốt hơn — điều này quan trọng vì pin BC vốn đã được biết đến với độ nhạy cong vênh và biến dạng.

Nút Thắt Thực Sự: Hai Ngân Sách Nhiệt trên Một Tấm Wafer

Tất cả những điều trên phải xảy ra trên cùng một đế, và đó là phần khó. Các bước nhiệt độ cao — những bước hình thành và kích hoạt tiếp xúc polysilicon — chạy ở nhiệt độ sẽ phá hủy màng silicon vô định hình. Lắng đọng silicon vô định hình nhiệt độ thấp phải xảy ra sau, hoặc các bước nhiệt độ cao phải được sắp xếp để chúng không bao giờ chạm vào nó.

Ràng buộc về trình tự đó, không phải vật lý pin, là điều khiến HIBC khó sản xuất. Các thách thức quy trình được báo cáo là:

• Thứ tự bước nhiệt độ cao / nhiệt độ thấp và kiểm soát ngân sách nhiệt
• Kiểm soát năng suất ở bước kết tinh cục bộ bằng laser
• Ngăn chặn hai chế độ quy trình làm hỏng màng của nhau

Một cửa sổ quy trình hẹp là vấn đề sản xuất từ lâu trước khi nó là vấn đề phòng thí nghiệm. Pin kỷ lục chứng minh kiến trúc hoạt động; nó không chứng minh cửa sổ đủ rộng cho một nhà máy gigawatt.

Điều Này Có Ý Nghĩa Gì Đối Với Dây Chuyền Lắp Ráp Module

Đây là phần liên quan trực tiếp đến chúng tôi, và đáng nói rõ ràng: một kỷ lục pin không thay đổi dây chuyền module của bạn trong quý tới. Công suất pin cần nhiều năm để xây dựng, và HIBC không phải là thay đổi cắm-là-chạy cho các nhà máy pin hiện có. Nhưng nó cho bạn biết dây chuyền module sẽ được yêu cầu xử lý những gì, và tốt hơn là lên kế hoạch cho các giao diện ngay bây giờ hơn là phát hiện chúng trong quá trình nghiệm thu nhà máy.

Xử lý tiếp xúc mặt sau là năng lực cấp dây chuyền, không phải tùy chọn máy

Pin BC không có thanh busbar mặt trước. Do đó, việc nối chuỗi, hàn và kiểm tra đều thực hiện trên bề mặt sau, điều này làm thay đổi:

• Xử lý và định hướng pin. Mọi trạm giữa máy cắt và máy ép laminate đều phải biết mặt nào là mặt trên, và phải giữ pin mà không để lại vết trên bề mặt trước.
• Hình học mối hàn. Các pad tiếp xúc nằm ở mặt sau và bước tiếp xúc nhỏ hơn. Độ chính xác đặt và profile nhiệt độ khắt khe hơn so với pin hàn mặt trước 5BB–20BB thông thường.
• Kiểm soát cong vênh. Pin BC cong nhiều hơn pin tiếp xúc mặt trước dưới cùng tải nhiệt, điều này lan truyền sang xử lý chuỗi, đặt lớp và ép laminate.
• Kiểm tra. Các khuyết tật quan trọng trên chuỗi BC khác biệt, vì vậy kiểm tra EL và VI phải phân giải được các đặc điểm mặt sau nhỏ thay vì gián đoạn lưới mặt trước.

Đây là những trạm mà một dây chuyền hoặc đã sẵn sàng cho BC hoặc chưa. Chúng tôi chế tạo các phiên bản cụ thể cho việc này: nền tảng cắt laser pin back-contact SC-20P, máy nối chuỗi pin back-contact OSLB-1300, và máy hàn pin back-contact SL-1000. Mọi chương trình BC nghiêm túc mà chúng tôi đã cung cấp đều cần ba điều giống nhau từ phía thiết bị: xử lý nhẹ nhàng hơn, đặt chính xác hơn và kiểm tra được tinh chỉnh cho bề mặt sau.

Tại sao kỷ lục vẫn quan trọng nếu bạn mua module, không phải pin

Ba hệ quả thực tế, theo thứ tự chúng có khả năng đến sàn sản xuất:

1. Khoảng cách hiệu suất giữa các kiến trúc tiếp tục mở rộng, và giờ đây nó là khoảng cách ở cấp độ pin. HIBC là sự kết hợp của hai họ quy trình, nghĩa là giới hạn hiệu suất được đặt bởi tích hợp quy trình thay vì bởi một lựa chọn kiến trúc đơn lẻ. Hãy kỳ vọng cuộc tranh luận về lộ trình sẽ chuyển từ “cấu trúc nào” sang “cửa sổ quy trình nào bạn thực sự có thể duy trì.”
2. Công suất pin mới sẽ là xây mới, không phải cải tạo. Theo báo cáo, LONGi đã xác nhận HIBC trên dây chuyền thí điểm 500 MW và có kế hoạch xây dây chuyền mới thay vì chuyển đổi các dây chuyền HPBC hiện có. Thiết bị nhiệt độ cao được giữ lại; thiết bị lắng đọng silicon vô định hình nhiệt độ thấp thì không. Đó là một chu kỳ vốn, và điều đó có nghĩa là các module HIBC sẽ ra thị trường theo khung thời gian của các nhà máy mới.
3. Việc mua sắm thiết bị module sẽ được đẩy nhanh. Khi một dây chuyền pin được xây dựng, dây chuyền module phía sau nó cũng được chỉ định cùng lúc. Nếu bạn đang lên kế hoạch công suất để tiếp nhận pin BC, máy nối chuỗi, đấu bus, đặt lớp và các trạm kiểm tra là những hạng mục có thời gian giao hàng dài và ít dung sai nhất cho một thay đổi kiến trúc muộn.

Chúng tôi sẽ tiếp cận như thế nào

Nếu bạn đang đánh giá một dây chuyền module BC hoặc HIBC, những câu hỏi quyết định thông số thiết bị không phải là con số hiệu suất hàng đầu. Chúng là:

• Định dạng và độ dày pin, và độ cong vênh bạn thực sự đo được trên pin đầu vào
• Bố cục pad tiếp xúc mặt sau và bước tiếp xúc, và quy trình hàn mà bố cục đó yêu cầu
• Liệu dây chuyền có phải chạy cả BC và TOPCon trên cùng thiết bị không, và tần suất chuyển đổi
• Thông số kiểm tra là gì, xét theo khuyết tật mặt sau nhỏ nhất cần phát hiện

Trả lời bốn câu đó thì danh sách trạm sẽ theo sau. Ooitech chế tạo toàn bộ dây chuyền module — thiết bị dây chuyền sản xuất tấm pin mặt trời hoàn toàn tự động, máy nối chuỗi, đặt lớp, đấu bus, máy ép laminate, đóng khung và kiểm tra — và chúng tôi đã cung cấp các cấu hình hỗ trợ BC cho các chương trình BC, IBC và HPBC. Nếu bạn muốn kiểm tra liệu một dây chuyền bạn đang lên kế hoạch có thể tiếp nhận định dạng pin BC không, hãy gửi cho chúng tôi bản vẽ pin và bố cục module và chúng tôi sẽ cho bạn biết trạm nào cần thay đổi.

Câu hỏi thường gặp

28,29% là hiệu suất module hay hiệu suất pin?

Hiệu suất pin, được đo trên pin phòng thí nghiệm và xác nhận bởi ISFH. Hiệu suất module luôn thấp hơn, do tổn thất xếp gói, tổn thất kết nối và diện tích bị khung và busbar chiếm. Đừng chuyển trực tiếp một kỷ lục pin thành con số datasheet module.

HIBC có làm TBC và HBC trở nên lỗi thời không?

Không ngay lập tức. HIBC khó sản xuất hơn cả hai, vì nó phải duy trì hai ngân sách nhiệt trên một wafer. TBC và HBC vẫn là các quy trình đơn giản hơn. Kỷ lục cho thấy kiến trúc hybrid có giới hạn cao hơn, không phải rằng các lộ trình đơn giản hơn đã mất lợi thế chi phí.

Một dây chuyền module TOPCon hoặc HPBC hiện có có thể được chuyển đổi để chạy pin BC không?

Một phần. Các trạm xử lý cơ khí, đặt lớp và ép laminate phần lớn có thể tái sử dụng, nhưng các trạm tiếp xúc với pin — cắt, nối chuỗi, hàn và kiểm tra — thường cần các phiên bản dành riêng cho BC, vì hình học tiếp xúc và yêu cầu xử lý khác nhau. Liệu việc chuyển đổi có hợp lý hay không phụ thuộc vào mức độ dây chuyền tiếp xúc với pin so với tiếp xúc với tấm panel.

Sự khác biệt giữa LIC và xử lý laser thông thường trên dây chuyền pin là gì?

Các bước laser thông thường trên dây chuyền pin là cắt, pha tạp hoặc loại bỏ vật liệu. LIC là một bước kết tinh cục bộ: nó thay đổi pha của silicon tại điểm tiếp xúc thay vì loại bỏ hoặc thêm vật liệu. Điều đó làm cho căn chỉnh và kiểm soát năng lượng trở thành các thông số quan trọng, và làm cho bước này nhạy cảm với bất cứ thứ gì ở thượng nguồn làm thay đổi địa hình bề mặt.

Tôi có thể đọc các nguồn chính ở đâu?

Kết quả hiệu suất và xác nhận của ISFH được báo cáo bởi pv magazine và PV Tech. Mô tả ở cấp quy trình về LIC và iPET đến từ báo cáo ngành được xuất bản bởi 新能供应链. Các số liệu được gán cho báo cáo đó là như được công bố ở đó; chúng tôi chưa xác minh độc lập chúng.